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AUIRLR/U024N
800
600
C iss
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss =C gs +C gd , C ds SHORTED
C rss =C gd
C oss = C ds + C gd
15
12
I D = 11A
V DS = 44V
V DS = 28V
9
400
C oss
6
200
C rss
3
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
A
0
0
4
8
SEE FIGURE 13
12 16
20
A
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100
T J = 175°C
10
T J = 25°C
10
10μs
100μs
V GS = 0V
T C = 25°C
1
0.4
0.8 1.2 1.6 2.0
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
A
1
1
1ms
T J = 175°C
Single Pulse 10ms
10
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
A
100
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
www.irf.com
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
5
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